深圳新聞網(wǎng)2025年11月10日訊（記者 何亞南）在當(dāng)前全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局深刻變革的背景下，我國高端裝備自主化進(jìn)程迎來里程碑式突破。近日，鑫巨（深圳）半導(dǎo)體科技有限公司（以下簡稱：鑫巨半導(dǎo)體）成功向國內(nèi)某頭部客戶交付了首臺完全自主研發(fā)的電化學(xué)沉積設(shè)備（ECD），并憑借該設(shè)備實(shí)現(xiàn)了量產(chǎn)需求下的高良率小批量生產(chǎn)。這不僅標(biāo)志著我國在高端半導(dǎo)體關(guān)鍵工藝裝備領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)重大突破。更在決定下一代芯片性能的“玻璃基板”新賽道上，具備了與國際先進(jìn)水平同臺競技的實(shí)力與底氣，為保障國家產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)鏈安全穩(wěn)定注入了強(qiáng)勁動能。

據(jù)悉，本次交付的ECD設(shè)備及其配套的VCL刻蝕設(shè)備，均由鑫巨半導(dǎo)體自主完成研發(fā)，其中軟硬件均全部自研，技術(shù)路線與應(yīng)用方向均屬于全新突破。該設(shè)備將應(yīng)用于下一代先進(jìn)封裝的核心載體——玻璃基板。隨著摩爾定律逼近物理極限，芯片性能提升路徑正逐步從“制程微縮”轉(zhuǎn)向“封裝革命”。玻璃基板憑借其超低翹曲度、超高表面平整度以及優(yōu)異的高頻電學(xué)特性，成為2.5D/3D集成、芯粒（Chiplet）互連的理想選擇，可實(shí)現(xiàn)互連密度提升10倍、功耗降低30%，為AI訓(xùn)練與推理芯片、高帶寬存儲（HBM）、光子集成等高端器件提供關(guān)鍵支撐。值得一提的是，該ECD設(shè)備在玻璃基板制造中的精度控制，是目前AI芯片載體加工中難度最高、最為關(guān)鍵的制造工藝環(huán)節(jié)。

該設(shè)備在技術(shù)上具備高度兼容性，支持12英寸圓形玻璃芯片以及310×310mm、515×510mm、610×610mm等大尺寸方形玻璃基板，具備RDL 2微米線寬/線距與TGV 深孔填充1:20深寬比的量產(chǎn)穩(wěn)定性，技術(shù)指標(biāo)達(dá)到國際先進(jìn)水平，部分關(guān)鍵性能甚至優(yōu)于國外同類產(chǎn)品。這標(biāo)志著中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈在“玻璃基板新賽道”上，首次具備與國際巨頭同步競爭，甚至實(shí)現(xiàn)局部領(lǐng)先的能力。

從底層架構(gòu)到控制系統(tǒng)，從工藝模塊到整機(jī)集成，鑫巨半導(dǎo)體堅(jiān)持完全正向開發(fā)，建立起完善的核心技術(shù)體系和自主知識產(chǎn)權(quán)布局，真正實(shí)現(xiàn)了從“0”到“1”的跨越。這一成果不僅夯實(shí)了我國高端裝備制造的自主根基，也為產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)鏈安全提供了有力保障。

鑫巨半導(dǎo)體相關(guān)負(fù)責(zé)人表示，“未來鑫巨半導(dǎo)體將繼續(xù)秉持開放合作的理念，深化與國內(nèi)外產(chǎn)業(yè)鏈伙伴的協(xié)同創(chuàng)新，積極參與國家重大技術(shù)攻關(guān)，持續(xù)打造更多具有自主知識產(chǎn)權(quán)的高端半導(dǎo)體裝備，為構(gòu)建安全、可控、先進(jìn)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生態(tài)貢獻(xiàn)更多力量?！?/p>

（本文由鑫巨半導(dǎo)體供圖）